|
Мощные цирклотроны на JFET/MOSFET
|
|
| svjatoslavdubolom | Дата: Воскресенье, 16.02.2020, 09:42 | Сообщение # 1 |
 Полковник
Группа: Модераторы
Сообщений: 158
Статус: Offline
| Тема как продолжение развития другой темы:
http://devicemusic.ucoz.ru/forum/5-229-1
Концепция остаётся прежней, в тракте сигнала не используются биполярные транзисторы.
Применение реактивных элементов ограничивается до минимума.
Особенность схемы - тонкая регулировка смещения выходных транзисторов производится в минусовом плече блока питания.
Драйверная часть схемы легко справляется с выходными транзисторами, имеющими большие паразитные ёмкости.
На транзисторах микросборки и на задающем транзисторе генератора тока (в данной схеме это VT1) напряжение
сток-исток должно быть не меньше 2,5 В, и максимально близким в стереоканалах.
|
| |
| |
| jpatay | Дата: Среда, 03.02.2021, 09:42 | Сообщение # 76 |
 Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Схема подбора по нач. току есть в сообщении - 13, начальные токи указаны в сообщении - 19 и на схеме в сообщении - 42 и 58.
Не ленитесь внимательно читать форумы, там всё есть.
Сообщение отредактировал jpatay - Среда, 03.02.2021, 09:42 |
| |
| |
| krasnoukhov | Дата: Среда, 03.02.2021, 17:50 | Сообщение # 77 |
|
Рядовой
Группа: Пользователи
Сообщений: 2
Статус: Offline
| Может, я что-то пропустил, но спрошу все-таки: можно ли использовать вместо КР504НТ2В КР504НТ2б или КР504НТ1б?
Спасибо!
|
| |
| |
| jpatay | Дата: Среда, 03.02.2021, 18:13 | Сообщение # 78 |
|
Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Цитата krasnoukhov (  ) можно ли использовать вместо КР504НТ2В КР504НТ2б или КР504НТ1б?Спасибо!
Подойдут вместо КР504НТ2В такие: КР504НТ1В, КР504НТ3А, КР504НТ4А.
Сообщение отредактировал jpatay - Среда, 03.02.2021, 18:20 |
| |
| |
| krasnoukhov | Дата: Среда, 03.02.2021, 19:18 | Сообщение # 79 |
|
Рядовой
Группа: Пользователи
Сообщений: 2
Статус: Offline
| Цитата jpatay ( ) Подойдут вместо КР504НТ2В такие: КР504НТ1В, КР504НТ3А, КР504НТ4А. |
| |
| |
| jpatay | Дата: Среда, 03.02.2021, 19:28 | Сообщение # 80 |
|
Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Цитата krasnoukhov ( ) Спасибо! 
|
| |
| |
| andrius | Дата: Среда, 03.02.2021, 22:00 | Сообщение # 81 |
|
Сержант
Группа: Пользователи
Сообщений: 20
Статус: Offline
| Цитата jpatay ( ) Схема подбора по нач. току есть в сообщении - 13, начальные токи указаны в сообщении - 19 и на схеме в сообщении - 42 и 58.
А как Вы прокоментируете то, что схемы в постах 42 и 58 отличаются?
В 42 в цепи раскачки оконечного транзистора стоят 2 полевика, а не 3 как в посте 58!
Цитата krasnoukhov ( ) можно ли использовать вместо КР504НТ2В КР504НТ2б или КР504НТ1б?
Что нужно изменить/подстсроить при использовании сборок, у которых параметры оличиаются от КР504НТ2В?
Спасибо.
|
| |
| |
| jpatay | Дата: Среда, 03.02.2021, 22:18 | Сообщение # 82 |
|
Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Цитата andrius ( ) В 42 в цепи раскачки оконечного транзистора стоят 2 полевика, а не 3 как в посте 58!
Сообщение отредактировал jpatay - Среда, 03.02.2021, 22:19 |
| |
| |
| andrius | Дата: Среда, 03.02.2021, 22:40 | Сообщение # 83 |
|
Сержант
Группа: Пользователи
Сообщений: 20
Статус: Offline
| Цитата jpatay ( ) В 42 на выхлопе стоят карбиды. У них смещение отрицательное -8,5 В, а у мосфет +1...4 В. Поэтому, чтобы легче получить отрицательное смещение, один транзистор был удалён, так как на каждом транзисторе Сток-Исток присутствует падение напряжения примерно 3,5 ..... 7,5 В. Количеством полевиков в "лестнице" драйвера можно грубо регулировать напряжение смещения на выходники.
Можно в кратце узнать достоинства и недостатки тех и других при использовании на выхлопе?,
У карбидной схемы, с моей, дилетантской точки зрения, плюс в том, что его раскачивают 2 N- транзистора, а значит можно смотреть в сторону сборок, т.е. не придётся подбирать пары, т.к. в сборке параметры очень близки.
А N- сборок довольно много, останется лишь выбрать наиболее подходящую.
https://eu.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/JFET/_/N-ax1rs?P=1z0xz4p
Кстати, нашёл на просторах интернета довольно интересную сборку из 4 полевых транзисторов, два N- и два P-.
Правда она низковольтная и МОСФЕТ, хотя в доке по ссылке ниже показано включение дифференциального усилителя, а в применении указано, что
Precision current mirrors
Complementary push-pull linear drives
Analog switches
Differential amplifier input stage
Precision matched current sources.
Даю ссылку.
http://www.aldinc.com/pdf/ALD1105.pdf
А не плохо было бы в одном корпусе, да ещё и с близкими параметрами сразу или Т1 - Т4, или даже лучше - Т3 - Т6.
Сообщение отредактировал andrius - Среда, 03.02.2021, 22:52 |
| |
| |
| pepe | Дата: Среда, 03.02.2021, 23:36 | Сообщение # 84 |
 Генерал-майор
Группа: Пользователи
Сообщений: 345
Статус: Offline
| Цитата andrius ( ) А как Вы считаете, на выхлопе лучше использовать карбиды или МОСФЕТы?
А мы считаем, что пока сам не попробуешь, не послушаешь - никогда не узнаешь, что лучше. 
С уважением,
Юрий.
|
| |
| |
| andrius | Дата: Среда, 03.02.2021, 23:44 | Сообщение # 85 |
|
Сержант
Группа: Пользователи
Сообщений: 20
Статус: Offline
| Цитата pepe ( ) А мы считаем, что пока сам не попробуешь, не послушаешь - никогда не узнаешь, что лучше. |
| |
| |
| jpatay | Дата: Четверг, 04.02.2021, 08:41 | Сообщение # 86 |
|
Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Пока самый оптимальный вариант с выхлопом на IRFP150N. Но лучше поискать Мосфеты, чтобы открывались при меньшем напряжении 1-3 В и с макс. напряжением С-И не больше 100 В.
Сообщение отредактировал jpatay - Четверг, 04.02.2021, 13:01 |
| |
| |
| pepe | Дата: Четверг, 04.02.2021, 12:00 | Сообщение # 87 |
|
Генерал-майор
Группа: Пользователи
Сообщений: 345
Статус: Offline
| Цитата andrius ( ) Т.е. собрать надо два усилитетя?
С уважением,
Юрий.
|
| |
| |
| andrius | Дата: Четверг, 04.02.2021, 20:54 | Сообщение # 88 |
|
Сержант
Группа: Пользователи
Сообщений: 20
Статус: Offline
| Цитата jpatay ( ) Пока самый оптимальный вариант с выхлопом на IRFP150N. Но лучше поискать Мосфеты, чтобы открывались при меньшем напряжении 1-3 В и с макс. напряжением С-И не больше 100 В.
Например IRLML0100TRPbF
1 - 2,5 В.
https://www.infineon.com/dgdl/irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8
У IRFP150N этот параметр 2 - 4 В.
Правда ток у IRLML0100TRPbF небольшой, 1,8А постояннки и импульсный 7,0 А, но полевики неплохо работают параллельно. К тому же у IRLML0100TRPbF ёмкость затвора в 8 раз меньше чем у 540, т.е. параллелить есть куда.
Ещё один плюс при параллельном включении - бОльшая площадь теплоотдачи, т.к. рассеивает не один кристалл, а несколько.
Сообщение отредактировал andrius - Четверг, 04.02.2021, 20:58 |
| |
| |
| jpatay | Дата: Четверг, 04.02.2021, 20:58 | Сообщение # 89 |
|
Генералиссимус
Группа: Пользователи
Сообщений: 2719
Статус: Offline
| Цитата andrius ( ) Например IRLML0100TRPbF |
| |
| |
| andrius | Дата: Четверг, 04.02.2021, 21:07 | Сообщение # 90 |
|
Сержант
Группа: Пользователи
Сообщений: 20
Статус: Offline
| А почему такие требования к входному напряжению?
Не проще ли взять обычные, а напряжение раскачать уже на предоконечном каскаде?
Кстати, есть полевики даже с 0,5 - 1 вольт, но тоже маломощные и к тому же низковольтные.
Например этот https://www.infineon.com/dgdl/irlml6244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356686fed261f
Из полевиков можно делать что-то типа Дарлингтона?
Сообщение отредактировал andrius - Четверг, 04.02.2021, 21:08 |
| |
| |
|
